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FET，MOSFET - 陣列
SI7900AEDN-T1-GE3參考圖片

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SI7900AEDN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N 溝道（雙）共漏
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
26 毫歐 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8 雙
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8 雙
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:38661
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
暫無價格
參考庫存:38669
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
暫無價格
參考庫存:38677
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:38685
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:38701
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