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FET，MOSFET - 陣列
PHN210,118參考圖片

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PHN210,118

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
2 N-通道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 2.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
250pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
暫無價格
參考庫存:42089
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
暫無價格
參考庫存:42097
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
暫無價格
參考庫存:42105
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N-CH 20WLCSP
暫無價格
參考庫存:42113
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
暫無價格
參考庫存:42121
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