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FET,MOSFET - 陣列
SI6562CDQ-T1-GE3參考圖片

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SI6562CDQ-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
6.7A,6.1A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
22 毫歐 @ 5.7A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
850pF @ 10V
功率 - 最大值
1.6W,1.7W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝
8-TSSOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
暫無價格
參考庫存:41863
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
暫無價格
參考庫存:41871
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:41887
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:41911
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
暫無價格
參考庫存:41919
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