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FET，MOSFET - 陣列
CSD85312Q3E參考圖片

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CSD85312Q3E

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N 溝道（雙）共源
FET 功能
邏輯電平柵極，5V 驅動
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
39A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12.4 毫歐 @ 10A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2390pF @ 10V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
暫無價格
參考庫存:45670
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 8TDSON
暫無價格
參考庫存:45678
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
暫無價格
參考庫存:45686
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
暫無價格
參考庫存:45694
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
暫無價格
參考庫存:45702
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