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FET，MOSFET - 陣列
EPC2108參考圖片

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EPC2108

  • EPC
  • 最新
  • GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
3 N 溝道（半橋 + 同步自舉）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
60V，100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.7A，500mA
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
190 毫歐 @ 2.5A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2.5A, 5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
9-VFBGA
供應商器件封裝
9-BGA (1.35x1.35)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:48221
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
暫無價格
參考庫存:48245
FET，MOSFET - 陣列
INTEGRATED CIRCUIT
暫無價格
參考庫存:48253
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:48269
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:48285
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