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FET，MOSFET - 陣列
SI5515CDC-T1-GE3參考圖片

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SI5515CDC-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
36 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
11.3nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
632pF @ 10V
功率 - 最大值
3.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
1206-8 ChipFET?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
暫無價格
參考庫存:196662
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
暫無價格
參考庫存:47912
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:47920
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:47928
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:47936
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