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FET，MOSFET - 陣列
TPD3215M參考圖片

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TPD3215M

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
70A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
34 毫歐 @ 30A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
28nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2260pF @ 100V
功率 - 最大值
470W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
暫無價格
參考庫存:190518
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
暫無價格
參考庫存:18034
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
暫無價格
參考庫存:573040
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
暫無價格
參考庫存:52238
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
暫無價格
參考庫存:640552
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