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FET，MOSFET - 陣列

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BSM400D12P2G003

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
400A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 85mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
38000pF @ 10V
功率 - 最大值
2450W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
-40°C ~ 150°C（TJ）
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:76102
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:46944
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:46960
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
暫無價格
參考庫存:47016
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:56216
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