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FET，MOSFET - 陣列
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CSD86330Q3D

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
9.6 毫歐 @ 14A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
920pF @ 12.5V
功率 - 最大值
6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerLDFN
供應商器件封裝
8-LSON（3.3x3.3）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:49015
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8
暫無價格
參考庫存:49031
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:49071
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:49111
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
暫無價格
參考庫存:49135
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