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FET，MOSFET - 陣列
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EPC2102

  • EPC
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  • GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
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參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
23A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.4 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
暫無價格
參考庫存:47994
FET，MOSFET - 陣列
TRENCH 40
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FET，MOSFET - 陣列
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暫無價格
參考庫存:48024
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