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參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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eGaN?
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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2 個 N 通道(半橋)
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FET 功能
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GaNFET(氮化鎵)
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漏源電壓(Vdss)
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80V
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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28A
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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5.5 毫歐 @ 20A,5V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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2.5V @ 7mA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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6.5nC @ 5V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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760pF @ 40V
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功率 - 最大值
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-
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工作溫度
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-40°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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封裝/外殼
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模具
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供應商器件封裝
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模具
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 陣列
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MCB60P1200TLB-TRR
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暫無價格
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參考庫存:45534
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
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暫無價格
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參考庫存:45542
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
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暫無價格
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參考庫存:45558
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
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暫無價格
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參考庫存:45566
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FET,MOSFET - 陣列
|
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
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暫無價格
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參考庫存:45574
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