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FET，MOSFET - 陣列
DMG6602SVT-7參考圖片

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DMG6602SVT-7

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平柵極，4.5V 驅動
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.4A，2.8A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
13nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
400pF @ 15V
功率 - 最大值
840mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝
TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:48221
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
暫無價格
參考庫存:48245
FET，MOSFET - 陣列
INTEGRATED CIRCUIT
暫無價格
參考庫存:48253
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:48269
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:48285
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