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FET，MOSFET - 射頻

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MRF281ZR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.93GHz
增益
12.5dB
電壓 - 測試
26V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
25mA
功率 - 輸出
4W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-200Z
供應商器件封裝
NI-200Z
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:36548
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET HEMT 28V 440166
暫無價格
參考庫存:8493
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:36566
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET HEMT 28V 440166
暫無價格
參考庫存:11796
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A
暫無價格
參考庫存:8680
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