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FET，MOSFET - 射頻
MRF6S18060NBR1參考圖片

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MRF6S18060NBR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.99GHz
增益
15dB
電壓 - 測試
26V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
600mA
功率 - 輸出
60W
電壓 - 額定
68V
封裝/外殼
TO-272BB
供應商器件封裝
TO-272 WB-4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228A
暫無價格
參考庫存:2291
FET，MOSFET - 射頻
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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參考庫存:30388
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