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FET，MOSFET - 射頻

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A2T21H360-23NR6

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
2.11GHz ~ 2.2GHz
增益
16.8dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
10μA
噪聲系數
-
電流 - 測試
500mA
功率 - 輸出
373W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
OM-1230-4L2L
供應商器件封裝
OM-1230-4L2L
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
140W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH
暫無價格
參考庫存:34344
FET，MOSFET - 射頻
36W, SI LDMOS, 28V, 2496-2690MHZ
暫無價格
參考庫存:34360
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:34378
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
暫無價格
參考庫存:34386
CEL
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET PHEMT FET 2V
暫無價格
參考庫存:34394
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