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FET，MOSFET - 射頻
A2G35S200-01SR3參考圖片

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A2G35S200-01SR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
3.4GHz ~ 3.6GHz
增益
16.1dB
電壓 - 測試
48V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
291mA
功率 - 輸出
180W
電壓 - 額定
125V
封裝/外殼
NI-400S-2S
供應商器件封裝
NI-400S-2S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
BLM9H0610S-60PG/OMP780/TRAYDP
暫無價格
參考庫存:34068
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-34288-4
暫無價格
參考庫存:34076
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:34102
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
暫無價格
參考庫存:34110
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
暫無價格
參考庫存:34118
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