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FET，MOSFET - 射頻
A2I25H060GNR1參考圖片

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A2I25H060GNR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
2.59GHz
增益
26.1dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
26mA
功率 - 輸出
10.5W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
TO-270-17 變型，鷗翼
供應商器件封裝
TO-270WBG-17
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
暫無價格
參考庫存:40004
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
暫無價格
參考庫存:40046
FET，MOSFET - 射頻
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:40054
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET LDMOS SOT1135B
暫無價格
參考庫存:11994
FET，MOSFET - 射頻
BLF984PS/SOT1121/TRAY
暫無價格
參考庫存:40076
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