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FET，MOSFET - 射頻
A2G22S251-01SR3參考圖片

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A2G22S251-01SR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.805GHz ~ 2.2GHz
增益
17.7dB
電壓 - 測試
48V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
200mA
功率 - 輸出
52dBm
電壓 - 額定
125V
封裝/外殼
NI-400S-2S
供應商器件封裝
NI-400S-2S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
暫無價格
參考庫存:35306
FET，MOSFET - 射頻
FET RF LDMOS 150W H36248-2
暫無價格
參考庫存:35314
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 68V 2.62GHZ NI-780S
暫無價格
參考庫存:35322
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 1.93GHZ NI780
暫無價格
參考庫存:35330
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S
暫無價格
參考庫存:35338
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