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FET，MOSFET - 射頻
PD20010-E參考圖片

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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11dB
電壓 - 測試
13.6V
額定電流（安培）
5A
噪聲系數
-
電流 - 測試
150mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
40V
封裝/外殼
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
供應商器件封裝
PowerSO-10RF（成形引線）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET LDMOS 30V H-34288-2
暫無價格
參考庫存:38236
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S
暫無價格
參考庫存:38244
FET，MOSFET - 射頻
BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP
暫無價格
參考庫存:10384
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET HEMT 440199
暫無價格
參考庫存:10271
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET N-CH 1000V TO247
暫無價格
參考庫存:38256
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