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FET，MOSFET - 單個
TPH3206LDB參考圖片

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TPH3206LDB

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 16A PQFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
180 毫歐 @ 10A, 8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
720pF @ 480V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PQFN（8x8）
封裝/外殼
4-PowerDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
暫無價格
參考庫存:12113
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V TO263-3
暫無價格
參考庫存:60105
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
暫無價格
參考庫存:60121
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:60129
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 20A SC-97
暫無價格
參考庫存:60153
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