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FET，MOSFET - 單個
SIS106DN-T1-GE3參考圖片

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SIS106DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
9.8A（Ta），16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
18.5 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
13.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
540pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），24W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:57598
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
暫無價格
參考庫存:57606
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:57614
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:57622
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
暫無價格
參考庫存:57630
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