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FET，MOSFET - 單個
IRF1902GPBF參考圖片

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IRF1902GPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.2A（Ta）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
85 毫歐 @ 4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
310pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247
暫無價格
參考庫存:38142
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
暫無價格
參考庫存:38158
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
暫無價格
參考庫存:38166
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 24A TO-264
暫無價格
參考庫存:38174
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
暫無價格
參考庫存:10970
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