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FET，MOSFET - 單個
IRFHM830TR2PBF參考圖片

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IRFHM830TR2PBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
21A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
21A（Ta），40A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
31nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2155pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PQFN（3x3）
封裝/外殼
8-VQFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
暫無價格
參考庫存:41180
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:41190
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
暫無價格
參考庫存:41206
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:41214
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
暫無價格
參考庫存:11549
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