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FET，MOSFET - 單個
GP1M010A080N參考圖片

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GP1M010A080N

  • SemiQ
  • 最新
  • MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
900V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.05 歐姆 @ 5A， 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
53nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2336pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
312W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3PN
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:48455
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:48463
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:48471
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK
暫無價格
參考庫存:48479
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
暫無價格
參考庫存:48487
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