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FET，MOSFET - 單個
GP2M002A065FG參考圖片

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GP2M002A065FG

  • SemiQ
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.6 歐姆 @ 900mA， 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
8.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
353pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
17.3W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
暫無價格
參考庫存:30825
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
暫無價格
參考庫存:30841
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30849
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
暫無價格
參考庫存:30857
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
暫無價格
參考庫存:30873
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