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FET，MOSFET - 單個
PSMN1R6-40YLC:115參考圖片

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PSMN1R6-40YLC:115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.55 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
126nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7790pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
288W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SOT-1023，4-LFPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
暫無價格
參考庫存:34282
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1
暫無價格
參考庫存:34290
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH
暫無價格
參考庫存:34306
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
暫無價格
參考庫存:34314
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
暫無價格
參考庫存:34322
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