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FET，MOSFET - 單個
IPI26CNE8N G參考圖片

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IPI26CNE8N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
85V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
26 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 39μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2070pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
優(yōu)勢價格，IPI26CNE8N G的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
暫無價格
參考庫存:31188
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223
暫無價格
參考庫存:51030
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
暫無價格
參考庫存:121032
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
暫無價格
參考庫存:11034
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:61036
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