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FET,MOSFET - 單個
IPSH6N03LA G參考圖片

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IPSH6N03LA G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
50A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6.2 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 30μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
19nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2390pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
71W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO251-3
封裝/外殼
TO-251-3 短截引線,IPak
商品其它信息
優勢價格,IPSH6N03LA G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
暫無價格
參考庫存:49733
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
暫無價格
參考庫存:49741
FET,MOSFET - 單個
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
暫無價格
參考庫存:49749
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
暫無價格
參考庫存:49757
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V SOT223-4
暫無價格
參考庫存:49775
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