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FET，MOSFET - 單個
IRF5803參考圖片

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IRF5803

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
112 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
37nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1110pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
2W（Ta）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
Micro6?（TSOP-6）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:43639
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
暫無價格
參考庫存:4020
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
暫無價格
參考庫存:43649
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
暫無價格
參考庫存:41720
FET，MOSFET - 單個
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
暫無價格
參考庫存:5162
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