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FET，MOSFET - 單個
IRLR4343參考圖片

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IRLR4343

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
26A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
50 毫歐 @ 4.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
42nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
740pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
暫無價格
參考庫存:33920
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
暫無價格
參考庫存:33928
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
暫無價格
參考庫存:33936
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33944
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
暫無價格
參考庫存:33952
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