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FET，MOSFET - 單個

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APT1002RBNG

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS IV?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.6 歐姆 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
105nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AD
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
暫無價格
參考庫存:28422
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:28430
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:28438
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
暫無價格
參考庫存:28446
FET，MOSFET - 單個
IC POWER MANAGEMENT
暫無價格
參考庫存:28454
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