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FET,MOSFET - 單個
STB200N4F3參考圖片

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STB200N4F3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
STripFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
120A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
75nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
5100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:38221
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
暫無價格
參考庫存:38229
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
暫無價格
參考庫存:38261
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 59A
暫無價格
參考庫存:38269
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V DPAK
暫無價格
參考庫存:38285
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