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FET，MOSFET - 單個
2SJ652-RA11參考圖片

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2SJ652-RA11

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
28A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
38 毫歐 @ 14A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
80nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4360pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220ML
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:38327
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
暫無價格
參考庫存:38335
FET，MOSFET - 單個
MOSFET
暫無價格
參考庫存:38343
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
暫無價格
參考庫存:38351
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN
暫無價格
參考庫存:38359
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