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FET,MOSFET - 單個
CPH3360-TL-H參考圖片

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CPH3360-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
1.6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
303 毫歐 @ 800mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
2.2nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
82pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
3-CPH
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CPH3360-TL-H的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
暫無價格
參考庫存:42300
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RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
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IXTA220N04T2 TRL
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MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
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FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
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參考庫存:42326
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