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FET，MOSFET - 單個
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2N6798

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
400 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5.29nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-39
封裝/外殼
TO-205AF 金屬罐
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
暫無價格
參考庫存:25542
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:25550
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
暫無價格
參考庫存:25558
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V SO8FL
暫無價格
參考庫存:25566
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220
暫無價格
參考庫存:10245
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