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FET，MOSFET - 單個
STH110N10F7-6參考圖片

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STH110N10F7-6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
DeepGATE?，STripFET? VII
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
110A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
6.5 毫歐 @ 55A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
72nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5117pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2PAK-6
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
暫無價格
參考庫存:3401
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
暫無價格
參考庫存:32338
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
暫無價格
參考庫存:3085
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:17342
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
暫無價格
參考庫存:17348
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