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FET，MOSFET - 單個
FDR858P參考圖片

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FDR858P

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
19 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
30nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2010pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SuperSOT?-8
封裝/外殼
8-LSOP（0.130"，3.30mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:64288
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
暫無價格
參考庫存:64296
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F
暫無價格
參考庫存:64304
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
暫無價格
參考庫存:64312
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
暫無價格
參考庫存:64320
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