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FET,MOSFET - 單個
STB85NS04Z參考圖片

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STB85NS04Z

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
SAFeFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
33V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
15 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
215W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優勢價格,STB85NS04Z的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH TO252-3
暫無價格
參考庫存:45567
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN
暫無價格
參考庫存:45575
FET,MOSFET - 單個
MOSFET_(20V 40V)
暫無價格
參考庫存:45591
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
暫無價格
參考庫存:45599
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V
暫無價格
參考庫存:45631
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