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FET，MOSFET - 單個
BUK9E2R8-60E,127參考圖片

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BUK9E2R8-60E,127

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.6 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
120nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
17450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
349W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
暫無價格
參考庫存:58566
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
暫無價格
參考庫存:58574
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
暫無價格
參考庫存:58590
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
暫無價格
參考庫存:58606
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 40A TO-247
暫無價格
參考庫存:58614
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