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FET，MOSFET - 單個
FDR6580參考圖片

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FDR6580

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerTrench?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
9 毫歐 @ 11.2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
48nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3829pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SuperSOT?-8
封裝/外殼
8-LSOP（0.130"，3.30mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL
暫無價格
參考庫存:9908
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
暫無價格
參考庫存:7390
FET，MOSFET - 單個
FET 650V 65AA TO247
暫無價格
參考庫存:4162
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
暫無價格
參考庫存:4634
FET，MOSFET - 單個
PMV74EPE/SOT23/TO-236AB
暫無價格
參考庫存:17418
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