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FET，MOSFET - 單個
SI7860DP-T1-E3參考圖片

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SI7860DP-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:31398
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247
暫無價格
參考庫存:31406
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V SOT-23
暫無價格
參考庫存:31414
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
暫無價格
參考庫存:31422
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
暫無價格
參考庫存:31430
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