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FET，MOSFET - 單個
PMF63UN,115參考圖片

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PMF63UN,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
74 毫歐 @ 1.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
3.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
185pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
275mW（Ta），1.785W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-323-3
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
暫無價格
參考庫存:58566
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
暫無價格
參考庫存:58574
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
暫無價格
參考庫存:58590
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
暫無價格
參考庫存:58606
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 40A TO-247
暫無價格
參考庫存:58614
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