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FET，MOSFET - 單個
PSMN040-200W,127參考圖片

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PSMN040-200W,127

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
40 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
183nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
9530pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
暫無價格
參考庫存:16132
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
暫無價格
參考庫存:7908
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
暫無價格
參考庫存:5152
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
暫無價格
參考庫存:6281
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
暫無價格
參考庫存:20186
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