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FET，MOSFET - 單個
PHK4NQ10T,518參考圖片

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PHK4NQ10T,518

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V SOT96-1
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
70 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
22nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
880pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
暫無價格
參考庫存:25975
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP
暫無價格
參考庫存:25983
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 2A SOT563
暫無價格
參考庫存:25991
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:25999
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
暫無價格
參考庫存:26015
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