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FET，MOSFET - 單個
SIS414DN-T1-GE3參考圖片

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SIS414DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
16 毫歐 @ 10A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
33nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
795pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.4W（Ta），31W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
暫無價格
參考庫存:47700
FET，MOSFET - 單個
N-CHANNEL 650 V, 74 MOHM TYP., 3
暫無價格
參考庫存:2708
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
暫無價格
參考庫存:2515
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
暫無價格
參考庫存:47720
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
暫無價格
參考庫存:47728
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