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FET，MOSFET - 單個
PHT2NQ10T,135參考圖片

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PHT2NQ10T,135

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
430 毫歐 @ 1.75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.25W（Tc）
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:44477
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V
暫無價格
參考庫存:44517
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
暫無價格
參考庫存:44525
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
暫無價格
參考庫存:44541
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:44557
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