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FET,MOSFET - 單個
PHX23NQ11T,127參考圖片

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PHX23NQ11T,127

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
110V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
16A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
70 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
22nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
830pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
41.6W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝,隔離接片
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:11465
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:46121
FET,MOSFET - 單個
LOW POWER_LEGACY
暫無價格
參考庫存:46137
FET,MOSFET - 單個
TRENCH
暫無價格
參考庫存:46153
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
暫無價格
參考庫存:46177
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