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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
SI4102DY-T1-E3參考圖片

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SI4102DY-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
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參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
3.8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
158 毫歐 @ 2.7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
11nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
370pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),4.8W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SI4102DY-T1-E3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
暫無價格
參考庫存:6332
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41253
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
暫無價格
參考庫存:41261
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41269
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
暫無價格
參考庫存:41277
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