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FET,MOSFET - 單個
SI6473DQ-T1-E3參考圖片

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SI6473DQ-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
6.2A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
12.5 毫歐 @ 9.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250μA(最小)
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
70nC @ 5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
±8V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.08W(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSSOP
封裝/外殼
8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
暫無價格
參考庫存:60752
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220
暫無價格
參考庫存:60760
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
暫無價格
參考庫存:60776
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:60792
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
暫無價格
參考庫存:60800
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