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FET，MOSFET - 單個
SI2327DS-T1-E3參考圖片

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SI2327DS-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
380mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.35 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
510pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42789
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
暫無價格
參考庫存:42797
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
暫無價格
參考庫存:42805
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:42821
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
暫無價格
參考庫存:42837
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